LLM2D
7 nm FinFET 技术中超低功耗.spike神经元:Leaky Integrate-and-Fire、Morris-Lecar 和 Axon-Hillock 架构的比较分析
Ultra-Low-Power Spiking Neurons in 7 nm FinFET Technology: A Comparative Analysis of Leaky Integrate-and-Fire, Morris-Lecar, and Axon-Hillock Architectures
作者: Logan Larsh, Raiyan Siddique, Sarah Sharif Yaser Mike Banad
发布日期: 5/8/2025
arXiv ID: oai:arXiv.org:2505.03764v1

摘要

arXiv:2505.03764v1 宣告类型:-cross 摘要:神经形态计算旨在复制大脑惊人的能效和并行处理能力,以满足大规模人工智能应用的需求。在这项工作中,我们对三种放电信号神经元电路架构进行了全面的比较研究——漏电流-积分-放电(LIF),Morris-Lecar(ML)和轴突-希洛克(AH)——它们均以7纳米FinFET技术实现。通过广泛的SPICE仿真,我们探索了放电信号频率、每脉冲能量消耗和静态功耗的优化。结果表明,AH设计实现了最高的吞吐量,在高达3 GHz的频率下表现出attojoule级别的能效。相比之下,ML架构在亚阈值到阈值附近区间表现出色,提供了可靠的低功耗操作(低至0.385 aJ/脉冲)和生物爆发行为。虽然LIF从分立电流镜中获益,能够进行高频操作,但在较高供电电压下,其静态漏电流略高于ML和AH。与之前的节点实现(22纳米平面,28纳米)相比,7纳米FinFET可以显著提高能效和速度,尽管会增加深亚阈值区域的子阈漏电流。通过对每种神经元架构的设计权衡进行量化,我们的研究为优化先进纳米技术中的放电信号神经元电路提供了路线图,以实现既能实现超低功耗操作又能提供高计算吞吐量的神经形态硬件。