arXiv:2504.13048v1 宣传类型: 横跨 摘要: 独特电子性质的拓扑绝缘体（TIs）和拓扑晶体绝缘体（TCIs）是对于实际应用具有极高价值的材料。然而，这类材料特别是带有全带隙的材料仍然相对稀缺。鉴于传统方法筛选已知材料候选人的局限性，我们集中在通过生成模型生成新的拓扑材料上。具体来说，我们对预训练的生成模型应用强化微调（ReFT），从而将模型的目标与我们的材料设计目标对齐。我们证明了ReFT在增强模型生成TIs和TCIs的能力方面是有效的，同时最大限度地减少了对生成材料稳定性的妥协。使用微调后的模型，我们成功地识别出大量的新拓扑材料，其中Ge$_2$Bi$_2$O$_6$是一个代表性的例子——它是一种具有0.26 eV全带隙的TIs，是此类中已知的最大值之一。